长江存储全球首创三维闪存研发技术 让芯片加工从平面走向立体

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新华网
  致力于打造“中国芯”的长江存储再传好消息。8月7日,长江存储公开发布Xtacking技术。该技术将为三维闪存提供更高的读写性能和更高的存储密度,同时缩短产品研发周期。
 
  传统三维闪存架构中,外围电路与存储单元共享芯片面积。生产时,外围电路和存储单元需同时进行加工,二者容易互相掣肘,对工艺要求极高。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上,让芯片加工从平面走向立体。即在一片晶圆上加工外围电路,在另一片晶圆上加工存储单元,两片晶圆各自完工后再进行接合。由于芯片空间得以释放,三维闪存的存储密度有望实现大幅提升。
 
  长江存储首席执行官杨士宁介绍,目前世界上最快的三维闪存读写速度是1.4Gbps,采用Xtacking技术后这一数值有望提升到3.0Gbps,对闪存行业来讲将是颠覆性的。他透露,Xtacking技术充分利用存储单元和外围电路的独立加工优势,实现了并行的、模块化的产品设计及制造,产品开发时间可缩短3个月,生产周期可缩短20%,从而大幅缩短产品上市时间。
 
  紫光集团联席总裁刁石京透露,Xtacking技术在全球范围内是首创的,对“中国芯”加速自主创新发展意义重大。
 
  据介绍,长江存储已成功将Xtacking技术应用于第二代三维闪存产品的研发中,预计2019年实现量产。

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